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Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
比较
Kingston KP223C-ELD 2GB vs Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Kingston KP223C-ELD 2GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KP223C-ELD 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
27
39
读取速度,GB/s
13.4
11.7
写入速度,GB/s
8.8
7.2
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2137
1749
Kingston KP223C-ELD 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F5-6000U4040E16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
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