RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En 14% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
28
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3504
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link