RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.6
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.4
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
21.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
19.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
4250
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link