RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
19.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4250
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link