RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
50
En 52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
50
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2326
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link