RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
50
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
50
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2326
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link