RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
34
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3029
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link