RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 34
    Около 29% меньшая задержка
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    16.9 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.2 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 34
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 16.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 13.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3029

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Сравнения RAM

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
модули RAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
модули RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
модули RAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
модули RAM
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
модули RAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
модули RAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
модули RAM
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FP 8GB
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FP 8GB
модули RAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
модули RAM