RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
41
En 41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
41
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2154
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link