RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
41
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2154
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link