RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
54
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
41
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
14.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2154
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link