RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
54
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
31
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
19.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
17.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3935
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NF-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link