RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
54
Intorno -74% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.7
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.5
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
31
Velocità di lettura, GB/s
9.2
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
17.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3935
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link