RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3639
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link