RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
21.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
21.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4250
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link