RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
24
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
21
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
21.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4250
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link