RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
25
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2120
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link