RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2171
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link