RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905622-055.A00G 4GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905622-055.A00G 4GB

Kingston 9905622-055.A00G 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 14.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
    周辺 1.13% 高帯域
Kingston 9905622-055.A00G 4GB 考慮すべき理由
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    16.0 left arrow 14.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.5 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2925 left arrow 2171

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAMの比較

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Kingston 9905622-055.A00G 4GB RAMの比較

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
メモリRAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
メモリRAM
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
メモリRAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
メモリRAM
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
メモリRAM