RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
40
En 40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
40
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
8.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
1777
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link