RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
40
Por volta de 40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
8.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
6.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
40
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
8.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
6.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
1777
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link