RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
34
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2994
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Kingston 99P5474-034.A00LF 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link