RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2994
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link