Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Puntuación global
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Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    24 left arrow 33
    En 27% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16 left arrow 15.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.5 left arrow 11.0
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 19200
    En 1.11 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    24 left arrow 33
  • Velocidad de lectura, GB/s
    16.0 left arrow 15.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    12.5 left arrow 11.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2925 left arrow 2697
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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