RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2697
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link