RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    65 left arrow 74
    Около 12% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 13.8
    Среднее значение в тестах
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    7.9 left arrow 1,592.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 5300
    Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    65 left arrow 74
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,580.8 left arrow 13.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,592.0 left arrow 7.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    572 left arrow 1825

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Сравнения RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
модули RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
модули RAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
модули RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
модули RAM