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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
29
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
29
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3524
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
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