RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KY7N41-MIE 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
33
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
16
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2948
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link