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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
30
En 20% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3316
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
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Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
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