RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3316
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link