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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
34
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
16
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2665
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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