RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2665
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD3L-U4G28HA-16K 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD3L-U4G28HA-16K 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link