RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
34
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2910
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link