RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2910
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link