RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
40
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
2493
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link