RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
27
En 11% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
27
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3909
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link