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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
36
En 33% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
16
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
36
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2653
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
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