RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2653
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link