RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2653
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link