RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3023
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link