RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
77
Около -166% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.6
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3023
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link