RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
77
Por volta de -166% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
13.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3023
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link