RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
77
Rund um -166% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3023
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link