Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Pontuação geral
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Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 28
    Por volta de -8% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    12.5 left arrow 10.9
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.8 left arrow 7.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 8500
    Por volta de 2 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    28 left arrow 26
  • Velocidade de leitura, GB/s
    10.9 left arrow 12.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.1 left arrow 10.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1668 left arrow 2693
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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