RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
12.5
Скорость записи, Гб/сек
7.1
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2693
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link