RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

総合得点
star star star star star
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
バグを報告する
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB 考慮すべき理由
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 28
    周辺 -8% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.8 left arrow 7.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 8500
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 12.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.1 left arrow 10.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1668 left arrow 2693

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB RAMの比較

SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB

Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB RAMの比較

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
メモリRAM