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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Pontuação geral
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de 11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.1
12
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
12.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
9.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
2347
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparações de RAM
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Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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