RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.1
12
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
12.0
Скорость записи, Гб/сек
8.6
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2347
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link