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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Comparar
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
72
Por volta de 43% menor latência
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
72
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
8.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1484
1817
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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