RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2458
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link