RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
52
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,384.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
10600
6400
Wokół strony 1.66% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
23
52
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
5,635.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
2,384.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
6400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
1037
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link